IPU103N08N3 G
Hersteller Produktnummer:

IPU103N08N3 G

Product Overview

Hersteller:

Infineon Technologies

Teilenummer:

IPU103N08N3 G-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 80V 50A TO251-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 80 V 50A (Tc) 100W (Tc) Through Hole PG-TO251-3

Inventar:

12801798
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

IPU103N08N3 G Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
80 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
10.3mOhm @ 46A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 46µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2410 pF @ 40 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
100W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO251-3
Paket / Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Basis-Produktnummer
IPU103N

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1,500
Andere Namen
IPU103N08N3G
SP000521640
IPU103N08N3 G-DG

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
IRFU3607PBF
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
743
TEILNUMMER
IRFU3607PBF-DG
Einheitspreis
0.63
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
infineon-technologies

IPD50R650CEBTMA1

MOSFET N-CH 500V 6.1A TO252-3

infineon-technologies

AUIRF3004WL

MOSFET N-CH 40V 240A TO262-3

infineon-technologies

BSP317PL6327HTSA1

MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223-4

infineon-technologies

AUIRF3710ZSTRL

MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK